Описание
MG100Q2YS50 IGBT kanali
TOSHIBA GTR moduli Silikon N kanali IGB T MG100Q2YS50 MG100Q2YS50 Yuqori quvvatli kommutatsiya
Dvigatelni boshqarish ilovalari Birligi: mm l Yuqori kirish empedansi l Yuqori tezlik: tf = 3 dyuymli kanalga past yuk (tf = 3 dyuym). to'yingan kuchlanish: VCE(sat) = 3.
6 V (maksimal) l Kengaytirish rejimi l Bitta paketga to'liq yarim ko'prik kiradi.
l Elektrodlar paketdan ajratilgan.
MG100Q2YS50 IGBT kanali
TOSHIBA GTR moduli Silikon N kanali IGB T MG100Q2YS50 MG100Q2YS50 Yuqori quvvatli kommutatsiya
Dvigatelni boshqarish ilovalari Birligi: mm l Yuqori kirish empedansi l Yuqori tezlik: tf = 3 dyuymli kanalga past yuk (tf = 3 dyuym). to'yingan kuchlanish: VCE(sat) = 3.
6 V (maksimal) l Kengaytirish rejimi l Bitta paketga to'liq yarim ko'prik kiradi.
l Elektrodlar paketdan ajratilgan.
